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存儲器

存儲器從一開始發(fā)展就受到了人們很多的關(guān)注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術(shù)都代表著當(dāng)代的*高水平；其二，半導(dǎo)體存儲器的產(chǎn)量是*大的，并且使用面在整個(gè)集成電路家族中也是*廣。

數(shù)字存儲器發(fā)展到了今天，已經(jīng)有了很多不同的種類，其中占主導(dǎo)地位的是DRAM（dynamic random access memories)，而人們視線*集中的就是近幾年有著快速發(fā)展的FRAM。隨著各種新的技術(shù)在電子信息技術(shù)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，人們對高性能的存儲器的需求也隨之變大。一種新型的存儲器成為這個(gè)領(lǐng)域*具有發(fā)展?jié)摿Φ漠a(chǎn)品，它有著十分快速的寫入速度，并且有著功耗低、操作電壓低、讀寫次數(shù)不受限制以及抗輻射等非常*的性能。

它就是鐵電存儲器——被譽(yù)為存儲器*”。它可以在芯片電源忽然斷開的情況下也可保留存儲在存儲器中的信息[1]。這種技術(shù)在領(lǐng)域，可用于手機(jī)、PDA和衛(wèi)星通信系統(tǒng)等。

在低端的技術(shù)領(lǐng)域，鐵電存儲器已經(jīng)大量應(yīng)用于smart card、nmp3和各類播放器中。

存儲器的分類

傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類：易失性存儲器RAM(Random Access Memory)和非易失性存儲器PRAM（Phase-change Random Access memory)。易失性存儲器RAMRandomAccess Memory)的全名為隨機(jī)存取記憶體，它在任何時(shí)刻都是可以讀寫的，RAM一般是作為操作系統(tǒng)或者其它正在運(yùn)行的程序臨時(shí)的存儲地點(diǎn)（可稱作內(nèi)存）。它的功能就相當(dāng)于計(jì)算機(jī)上的移動(dòng)存儲設(shè)備，用來保存數(shù)據(jù)的。RAM型存儲器有著使用方便，性能高的優(yōu)點(diǎn)，但缺點(diǎn)也很明顯，就是當(dāng)系統(tǒng)電源突然斷開的時(shí)候，系統(tǒng)將無法保存數(shù)據(jù)。如果想要需要保存數(shù)據(jù)的話，就必須把它們寫入到一個(gè)長期的存儲器中（例如硬盤）。這也就是RAM被稱作“可變存儲器”的原因。

而另外一種非易失性存儲器（nonvolatile memory)則不存在突然斷電丟失數(shù)據(jù)的問題，也不用定期地刷新存儲器內(nèi)容。這包括所有形式的只讀存儲器（ROM），在這之中包括可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程只讀存儲器（EPROM）、可擦除只讀存儲器（EEPROM）和閃存。它也包括電池供電的隨機(jī)存取儲存器（RAM）。只讀存儲器（ROM）技術(shù)幾乎都來自于主流的非易失性存儲器的技術(shù)。正如字面上的意思一樣，被稱為只讀存儲器（ROM）就肯定不容易進(jìn)行寫入操作，在實(shí)際的情況下只讀存儲器（ROM）是根本不能寫入[2-3]。所有由ROM技術(shù)研究開發(fā)出的存儲器也都具有進(jìn)行寫入操作困難的弊端。這些技術(shù)包括有EPROM、EEPROM和Fhsh。這些存儲器不但寫入速度慢，寫入時(shí)功耗也很大，而且只能擦寫有限的次數(shù)。