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薄膜材料的熱導率評價將變得極為簡便日本Advance Riko公司推出的納米薄膜熱導率測試系統(tǒng)是使用2ω方法測量納米薄膜厚度方向熱導率的商用系統(tǒng)。與其他方法相比，樣品制備和測量極為簡單。特點：1. 在納米尺度衡量薄膜的熱導率開發(fā)出監(jiān)測周期加熱過程中熱反射帶來的金屬薄膜表面溫度變化的方法。從而通過厚度方向上的一維熱導模型計算出樣品表面的溫度變化，極為簡便的衡量厚度方向上熱導率。（日本：5426115）2. 樣品制備簡單不需要光刻技術(shù)即可將金屬薄膜（1.7mm×15mm×100nm）沉積在薄膜樣品上。
應(yīng)用方向
1. 熱設(shè)計用薄膜熱導率評價的選擇。
low-k薄膜，有機薄膜，熱電材料薄膜
2. 可用于評價熱電轉(zhuǎn)換薄膜
測量原理
當使用頻率為f的電流周期加熱金屬薄膜時，熱流的頻率將為電流頻率的2倍（2f）。如果樣品由金屬薄膜（0）-樣品薄膜（1）-基體（s）組成（如圖），可由一維熱導模型計算出金屬薄膜上表面的溫度變化T(0)。
假設(shè)熱量全部傳導到基體，則T(0)可由下式計算：
（λ/Wm-1K-1，C/JK-1m-3，q/Wm-3，d/m，ω（=2πf）/s-1）
式中實部（同相振幅）包含樣品薄膜的信息。如熱量全部傳導到基體，則同相振幅正比于(2 ω)0.5，薄膜的熱導率（λ1）可由下式給出：
（m：斜率，n：截距）
設(shè)備參數(shù)
1. 測試溫度：室溫
2. 樣品尺寸：長10～20mm，寬10mm
厚0.3～1mm（含基體）
3. 基體材料：Si（*）
Ge，Al2O3（高熱導率）
4. 樣品制備：樣品薄膜上需沉積金屬薄膜（100nm）
（*：金）
5. 薄膜熱導率測量范圍：0.1～10W/mK
6. 測試氛圍：大氣
設(shè)備概念圖
樣品準備
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