• 電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

• 快速更換到不同尺寸的晶圓工藝

• 購置成本低且易于維護(hù)

• 緊密的設(shè)計(jì)，布局靈活

• 實(shí)時(shí)清洗和終點(diǎn)監(jiān)測

 
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra特征

• 牛津儀器的PlasmaPro 100系列具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力。該工藝模式可提供出色的均勻性，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
• 通過均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室，將反應(yīng)粒子輸送到襯底 - 在維持低氣壓的同時(shí)，允許使用較高的氣體通量
• 高度可變的下電極 - 充分利用等離子體的三維特性，在適合的高度條件下，襯底厚度可達(dá)10mm
• 電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過液氮，液體循環(huán)制冷機(jī)或電阻絲加熱 - 可選的吹排及液體更換單元可自動(dòng)進(jìn)行模式切換
• 由再循環(huán)制冷機(jī)單元供給的液體控溫的電極 - 出色的襯底溫度控制
• 射頻功率加載在噴頭上，同時(shí)優(yōu)化氣體輸送 - 提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應(yīng)力
• ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm - 確保200mm晶圓的工藝均勻性
• 高抽氣能力 - 提供了更寬的工藝氣壓窗口
• 晶圓壓盤與背氦制冷 - 更適合的晶片溫度控制

 牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra應(yīng)用

• III-V族材料的刻蝕工藝
• 固體激光器InP刻蝕
• VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
• 射頻器件低損傷GaN刻蝕
• 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
• 類金剛石（DLC）沉積
• 二氧化硅和石英刻蝕
• 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
• 沉積高質(zhì)量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化等諸多其它用途
• 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕