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- 公司名稱 北京多晶電子科技有限公司
- 品牌
- 型號
- 所在地 北京市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時間 2025/2/11 11:49:58
- 訪問次數(shù) 1
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描述:IS6-D-UV 是一個 6 英寸積分球(內(nèi)部 5.3 英寸),帶有用于發(fā)散 (D) 光束的硅探測器。IS6-D-UV 配有紫外線檢測器,校準(zhǔn)范圍為 200 至 1100nm,可測量高達(dá) 1W 的功率...
IS6-D-UV 是一個 6 英寸積分球(內(nèi)部 5.3 英寸),帶有用于發(fā)散 (D) 光束的硅探測器。IS6-D-UV 配有紫外線檢測器,校準(zhǔn)范圍為 200 至 1100nm,可測量高達(dá) 1W 的功率。
光圈 | ?26mm |
光譜范圍 | 200-1100nm |
功率范圍 | 300nW-1W |
尺寸 | ?154(毫米) |
脈沖能量 | 0.15毫焦 |
平均功率密度 | 1 kw/cm2 |
平均功率 | 1W |
光束發(fā)散 | ±60度 |
對光束發(fā)散的敏感性 | ±3% |
吸收器表面的損壞對測量精度的影響
如果損壞導(dǎo)致吸收發(fā)生變化,則對吸收器表面造成的損壞會影響讀數(shù)。檢查這一點(diǎn)的一種方法是將光束稍微移離受損區(qū)域,并查看讀數(shù)是否發(fā)生變化以及變化幅度有多大。當(dāng)損壞閾值時,在這個功率或能量密度值下,可能會出現(xiàn)外觀損壞,導(dǎo)致表面發(fā)生一些顏色變化,但通常將損壞閾值定義為導(dǎo)致變化超過 1% 的功率或能量密度。
電磁干擾對測量精度的影響
Ophir 儀表和傳感器經(jīng)認(rèn)證符合 CE 對電磁輻射敏感性和發(fā)射的要求。在強(qiáng)度達(dá)到 CE 規(guī)定的極限的幾乎所有輻射頻率下,人們都不會注意到任何干擾。在極少數(shù)特定頻率情況下,可能會有一些明顯的干擾。已在任何頻率下可以看到的干擾小于全額定功率的 0.3%。
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