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上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi 霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), load lock, 濺射系統(tǒng), 分子束外延, 脈沖激光沉積等, 實(shí)現(xiàn) IBAD 輔助鍍膜的工藝.
KRi 霍爾離子源特點(diǎn)
高電流低能量寬束型離子束 |
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KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 典型案例:
設(shè)備: 美國進(jìn)口 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號(hào): EH 400
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動(dòng)性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計(jì)量完整材料.
離子源對(duì)工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對(duì)溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡(jiǎn)化反應(yīng)沉積.
通過使用美國 KRi 霍爾離子源可以實(shí)現(xiàn)
增強(qiáng)和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進(jìn), 控制薄膜化學(xué)計(jì)量, 提高折射率, 降低薄膜應(yīng)力, 控制薄膜微觀結(jié)構(gòu)和方向, 提高薄膜溫度和環(huán)境穩(wěn)定性, 增加薄膜附著力, 激活表面,平滑的薄膜界面和表面,降低薄膜吸收和散射,增加硬度和耐磨性.
美國 KRi 離子源適用于各類沉積系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn) IBAD 輔助鍍膜 (電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā), 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積)
美國 KRi 霍爾離子源 eH 系列在售型號(hào):
型號(hào) | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
陽極電壓 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
離子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
本體高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
直徑 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
水冷 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
上海伯東同時(shí)提供 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設(shè)備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅小姐
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展會(huì)城市：廣州市展會(huì)時(shí)間：2025-03-05