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美國Inorganic Venture標(biāo)準(zhǔn)溶液
面議0簡介：IV——定制標(biāo)準(zhǔn)溶液專家公司簡介及資質(zhì)InorganicVentures公司30年來，一直專注于提供無機(jī)認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（定制），在范圍內(nèi)提供的高效、高質(zhì)量的服務(wù)和支持
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深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司 產(chǎn)地：深圳市我要詢價(jià) -
美國蝕刻和剝離系統(tǒng) CESx124
面議0簡介：這款蝕刻和清潔系統(tǒng)專為滿足當(dāng)今晶圓、光掩模和基板的前沿應(yīng)用的特殊工藝需求而設(shè)計(jì)。
深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司 產(chǎn)地：深圳市我要詢價(jià) -
德國分子束外延 Laser MBE
面議0簡介：LaserMBELaserMBE特點(diǎn)模塊化概念，LaserMBE可以輕松升級(jí)到傳輸模塊或其他模塊UHVPLD主腔室、利用Load-lock實(shí)現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸?shù)墓に囎詣?dòng)化功能，可實(shí)現(xiàn)超晶格生...
深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司 產(chǎn)地：深圳市我要詢價(jià) -
實(shí)驗(yàn)室專用原子層沉積設(shè)備 Savannah100,200,300
面議0簡介：用于沉積納米級(jí)薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD;具備近100種膜層工藝。應(yīng)用領(lǐng)域：芯片封裝、半導(dǎo)體High-k介電...
深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司 產(chǎn)地：深圳市我要詢價(jià) -
上海伯東代理進(jìn)口 KRI考夫曼離子源 KDC 100
￥6240000簡介：上海伯東代理美國進(jìn)口KRI考夫曼離子源KDC100中型規(guī)格柵極離子源,廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中,考夫曼離子源KDC100采用雙陰極燈絲和自對(duì)準(zhǔn)柵極,標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍100至1200...
伯東企業(yè)（上海）有限公司 會(huì)員等級(jí): 產(chǎn)地：上海市我要詢價(jià) -
上海伯東代理KRI 考夫曼離子源 KDC 160￥8400000簡介：上海伯東代理美國進(jìn)口KRI考夫曼離子源KDC160是目前考夫曼KDC系列zui大,離子能量zui強(qiáng)的柵極離子源,適用于已知的所有離子源應(yīng)用,離子源KDC160高輸出設(shè)計(jì),zui大電流超過1000m...
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上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH200
￥3000000簡介：上海伯東代理美國進(jìn)口KRI霍爾離子源eH200是霍爾離子源型eH系列中尺寸最小,低成本設(shè)計(jì)離子源.霍爾離子源eH200適用于小型真空腔內(nèi),例如研發(fā)分析,薄膜沉積和離子清洗.霍爾離子源eH200操作...
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上海伯東代理美國進(jìn)口 KRI 線性離子源
￥3600000簡介：上海伯東代理美國進(jìn)口KRI線性離子源使用eH400做為模組,能應(yīng)用于寬范圍的襯底,離子源長度高達(dá)1米,通過嚴(yán)格調(diào)整模組間的距離可以實(shí)現(xiàn)更佳的均勻性和離子流.由于模組是平行放置,大大簡化了氣體,功率...
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