上海伯東某科研客戶(hù)霍爾效應(yīng)測(cè)試案例一,樣品: ITO 氧化銦錫, 標(biāo)記為 ITO1, ITO2, ITO3,樣品薄膜厚度: 60 - 100 nm,霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ITO 薄膜測(cè)試案例
價(jià)格電議
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ITO 薄膜測(cè)試案例
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ITO 薄膜測(cè)試案例
上海伯東某科研客戶(hù)霍爾效應(yīng)測(cè)試案例一
樣品: ITO 氧化銦錫, 標(biāo)記為 ITO1, ITO2, ITO3
樣品薄膜厚度: 60 - 100 nm
樣品尺寸: 10 * 10 mm
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容: 載流子濃度, 類(lèi)型, 霍爾遷移率, 方塊電阻
實(shí)驗(yàn)儀器: 上海伯東英國(guó) NanoMagnetics ezHEMS 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
| 電阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 樣本依賴(lài) )
遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 樣本依賴(lài) )
載流子濃度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 樣本依賴(lài) )
輸入電流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
小霍爾電壓測(cè)量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 磁鐵 |
測(cè)試溫度和磁場(chǎng)溫度: 300K RT 1 Tesla
* 在測(cè)試開(kāi)始前, 儀器均經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)樣品校驗(yàn). 所有樣品根據(jù) ASTM 標(biāo)準(zhǔn).
樣品 ITO1 測(cè)試結(jié)果:
I-V 測(cè)量結(jié)果
VdP 測(cè)量結(jié)果
測(cè)量頭類(lèi)型: RT Head; 磁場(chǎng): 9677G; 厚度: 80nm
部分測(cè)試結(jié)論:
1. 得到的電阻值彼此相容.
2. 所有的IV 曲線(xiàn)都是線(xiàn)性的
3. 所有樣本都是歐姆的,統(tǒng)一的,均勻的.
4. Van der Pauw 測(cè)試為了保證準(zhǔn)確性, 測(cè)試了2次, 測(cè)試結(jié)果是相同的.
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* 鑒于信息保密, 更詳細(xì)的霍爾效應(yīng)測(cè)試案例歡迎聯(lián)絡(luò)伯東企業(yè)（上海）有限公司
