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日立離子研磨儀器 IM4000PLUS

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IM4000PLUS是支持?jǐn)嗝嫜心ズ推矫嫜心ィ‵lat Milling*1）的混合式離子研磨儀器。借此，可以用于適用于各種諸如對樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察和各類分析等，為評價(jià)目的樣品的制作。*1平面研磨（Flat Milling）是位于日本國內(nèi)的日立*有限公司的注冊商標(biāo)。

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日立離子研磨儀器 IM4000PLUS

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日立離子研磨儀器 IM4000PLUS

IM4000PLUS是支持?jǐn)嗝嫜心ズ推矫嫜心ィ‵lat Milling®*1）的混合式離子研磨儀器。借此，可以用于適用于各種諸如對樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察和各類分析等，為評價(jià)目的樣品的制作。

*1
平面研磨（Flat Milling®）是位于日本國內(nèi)的日立*有限公司的注冊商標(biāo)。

  • 特點(diǎn)

  • 功能

  • 選項(xiàng)

  • 規(guī)格

  • 觀察示例

特點(diǎn)

高通量的斷面研磨

配備斷面研磨能力達(dá)到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出斷面樣品。

*2
在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)時(shí)的大深度

斷面研磨

  • 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品
  • 優(yōu)化加工條件，減輕損傷
  • 可裝載大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

斷面研磨的主要用途

  • 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面
  • 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面
  • 制備評價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面

斷面研磨加工原理圖
斷面研磨加工原理圖

平面研磨（Flat Milling®）

  • 均勻加工成直徑約為5mm的范圍
  • 可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域
  • 大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品
  • 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動（±60度～±90度的翻轉(zhuǎn)）2種加工方法

平面研磨（Flat Milling®）的主要用途

  • 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變
  • 去除樣品的表層
  • 消除FIB加工的損傷

平面研磨（Flat Milling&reg）加工原理圖
平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖

與日立SEM的樣品結(jié)合

  • 樣品無需從樣品臺取下，就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。
  • 在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。

 

功能

冷卻溫度調(diào)節(jié)功能*1

附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS
附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS

該功能可有效防止加工過程中，由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升，所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對于過度冷卻后會產(chǎn)生開裂的樣品，通過冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過度冷卻而產(chǎn)生開裂。

*1
此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能，而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。

樣品：鉛焊料

常溫研磨
常溫研磨

冷卻研磨
冷卻研磨

 

選項(xiàng)

大氣隔離樣品桿

大氣隔離樣品桿，可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。
密封蓋將樣品密閉，進(jìn)入真空排氣的樣品室后，打開密封蓋。如此，離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。

*1
僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。
*2
僅支持真空型日立AFM。

鋰離子電池負(fù)極（充電后）

大氣暴露
大氣暴露

大氣隔離
大氣隔離

IM4000/IM4000PLUS

用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡

IM4000、IM4000PLUS通過設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡，可觀察到研磨過程中的樣品。
如果是三目型，則可以通過CCD攝像頭*3進(jìn)行監(jiān)控觀察。

*3
CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶準(zhǔn)備。

三目型（用于連接CCD攝像頭）/用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡（雙目型）

規(guī)格

規(guī)格
項(xiàng)目內(nèi)容
IM4000PLUSIM4000PLUS
斷面研磨桿平面研磨桿
使用氣體Ar（氬）氣
加速電壓0 ～ 6 kV
大研磨速度（Si材料）500 µm/hr*1 以上-
大樣品尺寸20（W）× 12（D）× 7（H）mmΦ50 × 25（H） mm
離子束
間歇照射功能		標(biāo)配
尺寸 616（W）× 705（D）× 312（H）mm
重量 機(jī)體48 kg＋回轉(zhuǎn)泵28 kg
附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS
冷卻溫度調(diào)節(jié)功能通過液氮間接冷卻樣品、溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C
選項(xiàng)
空氣隔離
樣品夾持器		僅支持?jǐn)嗝嫜心A持器-
FP版斷面研磨夾持器100 µm/rotate*2-
用于加工監(jiān)控的顯微鏡倍率 15 × ～ 100 × 雙目型、三目型（支持CCD）
*1
將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)的大深度
*2
千分尺旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)的遮擋板移動量。斷面研磨夾持器比為1/5

 

觀察示例

斷面研磨

如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器，則可以3小時(shí)內(nèi)制備出平滑的斷面。

樣品：陶瓷電容器

低倍圖像
低倍圖像

放大圖像
放大圖像

即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料，也可以制備斷面。

樣品：保險(xiǎn)杠涂膜

低倍圖像
低倍圖像

放大圖像
放大圖像

這是通過鋰電池正極材料，斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。
在SEM上觀察到的具有特殊對比度的部位，從SSRM（Scanning Spread Resistance Microscopy）圖像來看，考慮為電阻低的部位。

樣品：鋰離子電池正極材料 樣品制備方法：斷面研磨

鋰離子電池正極材料：二次電子像/SSRM圖像

平面研磨（Flat Milling）

可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊，并可觀察到金屬層、合金層和無鉛焊料的Ag分布。

樣品：無鉛焊料

機(jī)械研磨后
機(jī)械研磨后

平面研磨后
平面研磨后

因老化等變得臟污的觀察面、分析面，通過平面研磨，也可以獲得清晰的通道對比度圖像和EBSD模式。

樣品：銅墊片

平面研磨前/平面研磨后

 

關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類

  • 場發(fā)射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM)
  • 掃描電子顯微鏡 (SEM)
  • 透射電子顯微鏡 (TEM/STEM)


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