蒸發(fā)膜的厚度分布

蒸發(fā)源的排放分布特性可用于確定真空室中用于生產(chǎn)均勻厚度涂層的正確幾何形狀。

在大孔徑襯底上或者在裝載有許多小襯底的架子上生產(chǎn)均勻厚度的涂層可以通過對裝有測試件的架子進行重復試驗來完成。從一次試運行到下一次試運行，有意改變了幾何形狀 - 例如蒸發(fā)源的偏移量增加了，直到找到排列。

在本文中，我們首先測量了位于已知徑向距離處的測試件上的涂層的厚度，在真空蒸發(fā)室中的單個旋轉(zhuǎn)平板架上，并使用這些數(shù)據(jù)來查找源發(fā)射函數(shù)。然后使用已知的發(fā)射函數(shù)來確定在直徑上產(chǎn)生厚度均勻性的源偏移和弧線曲率。

更低的成本...更高的投資回報率 

離子輔助沉積可提供高要求的光學應用所需的高品質(zhì)，無缺陷，低應力，環(huán)境穩(wěn)定（無漂移）的薄膜。

您將受益于：

• 獨立控制離子電流密度和離子能量以優(yōu)化薄膜性能

• *運行，100％氧氣或氮氣反應氣體穩(wěn)定運行，延長運行時無過程漂移

冷陰極離子源是差分泵浦器件，等離子體腔室的一端通向真空環(huán)境。離子源的操作參數(shù)和薄膜的質(zhì)量受控制真空度的參數(shù)的影響。在抽速很高的系統(tǒng)中制作好的薄膜要容易得多。當比較IAD薄膜沉積參數(shù)時，壓力的差異可能是由泵浦速率引起的。

要了解泵浦速率對冷陰極離子源的影響，請下載我們的技術(shù)文章 download our technical paper.