ISDI是高性能成像半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者，提供定制超大靶面CMOS平板傳感器

ISDI是高性能成像半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者，提供定制超大靶面CMOS平板傳感器。

ISDI成立于2010年，由一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)與通過科學(xué)和研究領(lǐng)域的項(xiàng)目獲得的CMOS圖像傳感器方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。自成立以來，ISDI已經(jīng)從一個(gè)科學(xué)傳感器的設(shè)計(jì)者發(fā)展到一個(gè)廣泛應(yīng)用的晶片級(jí)成像設(shè)備的制造商。

所提供超大靶面CMOS平板傳感器適合板到板或板通過電纜連接到數(shù)據(jù)采集PCB。數(shù)字接口設(shè)計(jì)用于直接連接到FPGA或ASIC。對(duì)于50μm和100μm傳感器，顯影板可通過USB或Gigevision直接與攝像機(jī)連接。

所有超大靶面CMOS平板傳感器設(shè)計(jì)可用于X射線環(huán)境中的低噪聲操作，適用于板（FOP）粘合或直接閃爍沉積。

一個(gè)多功能，功能豐富的硅片級(jí)圖像傳感器結(jié)合ISDI設(shè)計(jì)組成低噪聲像素架構(gòu)。并且，傳感器可以對(duì)接以形成更大的連續(xù)圖像區(qū)域。

超大靶面CMOS平板傳感器關(guān)鍵特征：

?卷簾曝光                                        

?高、低滿阱（HFW、LFW）可選，適合高、低靈敏度應(yīng)用

?片內(nèi)溫度傳感器

?動(dòng)態(tài)設(shè)置感興趣區(qū)域（ROI）

?非破壞性讀出選項(xiàng)

超大靶面CMOS平板傳感器應(yīng)用圖例：