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高性能FIB-SEM系統(tǒng) Ethos NX5000

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 日立集團(tuán)
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時(shí)間 2023/2/16 10:00:48
  • 訪問(wèn)次數(shù) 76

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高性能與高靈活性兼?zhèn)銭thos采用日立高新的核心技術(shù)--的高亮度冷場(chǎng)發(fā)射電子槍及新研發(fā)的電磁復(fù)合透鏡,不但可以在低加速電壓下實(shí)現(xiàn)高分辨觀察,還可以在FIB加工時(shí)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀察。 SEM鏡筒內(nèi)標(biāo)配3個(gè)探測(cè)器,可同時(shí)觀察到二次電子信號(hào)的形貌像以及背散射電子信號(hào)的成分襯度像;可非常方便的幫助FIB找尋到納米尺度的目標(biāo)物,對(duì)其觀察以及加工分析。 另外,全新設(shè)計(jì)的超大樣品倉(cāng)設(shè)置了多個(gè)附件接口,可安裝EDS*1和EBSD*2等各種分析儀器。而且NX5000標(biāo)配超大防振樣品臺(tái),可全面加工并觀察直徑為150mm的樣品。 因此,它不僅可以用于半導(dǎo)體器件的檢測(cè),而且還可以用于從生物到鋼鐵磁性材料等各種樣品的綜合分析。*1Energy Dispersive x-ray Spectrometer(能譜儀(EDS))*2Electron Backscatter Diffraction(電子背散射衍射(EBSD))

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高性能FIB-SEM系統(tǒng) Ethos NX5000

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高性能FIB-SEM系統(tǒng) Ethos NX5000

高性能與高靈活性兼?zhèn)?/strong>

“Ethos”采用日立高新的核心技術(shù)--的高亮度冷場(chǎng)發(fā)射電子槍及新研發(fā)的電磁復(fù)合透鏡,不但可以在低加速電壓下實(shí)現(xiàn)高分辨觀察,還可以在FIB加工時(shí)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀察。
SEM鏡筒內(nèi)標(biāo)配3個(gè)探測(cè)器,可同時(shí)觀察到二次電子信號(hào)的形貌像以及背散射電子信號(hào)的成分襯度像;可非常方便的幫助FIB找尋到納米尺度的目標(biāo)物,對(duì)其觀察以及加工分析。
另外,全新設(shè)計(jì)的超大樣品倉(cāng)設(shè)置了多個(gè)附件接口,可安裝EDS*1和EBSD*2等各種分析儀器。而且NX5000標(biāo)配超大防振樣品臺(tái),可全面加工并觀察直徑為150mm的樣品。
因此,它不僅可以用于半導(dǎo)體器件的檢測(cè),而且還可以用于從生物到鋼鐵磁性材料等各種樣品的綜合分析。

*1
Energy Dispersive x-ray Spectrometer(能譜儀(EDS))
*2
Electron Backscatter Diffraction(電子背散射衍射(EBSD))

  • 特點(diǎn)

  • 規(guī)格

特點(diǎn)

核心理念

1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒

  • HR模式下可實(shí)現(xiàn)高分辨觀察(半內(nèi)透鏡)
  • FF模式下可實(shí)現(xiàn)高精度加工終點(diǎn)檢測(cè)(Timesharing Mode)

2. 高通量加工

  • 可通過(guò)高電流密度FIB實(shí)現(xiàn)快速加工(束流100nA)
  • 用戶可根據(jù)自身需求設(shè)定加工步驟

3. Micro Sampling System*3

  • 運(yùn)用ACE技術(shù)(加工位置調(diào)整)抑制Curtaining效應(yīng)
  • 控制離子束的入射角度,制備厚度均勻的薄膜樣品

4. 實(shí)現(xiàn)低損傷加工的Triple Beam System*3

  • 采用低加速(Ar/Xe)離子束,實(shí)現(xiàn)低損傷加工
  • 去除鎵污染

5. 樣品倉(cāng)與樣品臺(tái)適用于各種樣品分析

  • 多接口樣品倉(cāng)(大小接口)
  • 超大防振樣品臺(tái)(150 mm□)
*3
選配

高性能SEM鏡筒

Ethos搭載的SEM配有兩種透鏡模式。HR模式可將樣品置于透鏡磁場(chǎng)之中,實(shí)現(xiàn)樣品的高分辨觀察。FF模式可在最短10nsec內(nèi)切換FIB照射與SEM觀察。用戶可在高速幀頻下觀察SEM圖像的同時(shí),進(jìn)行FIB加工,因此,可輕松判斷截面的加工終點(diǎn)。NX5000采用電磁復(fù)合透鏡,即使在FF模式下也可保持高分辨觀察。

高分辨SEM觀察實(shí)例


Fin-FET 14 nm device


3D-NAND device

高性能FIB鏡筒

通過(guò)高電流密度FIB可實(shí)現(xiàn)快速加工、廣域加工、多處自動(dòng)加工等

分時(shí)掃描模式

在FIB、Ar/Xe離子束照射時(shí),可實(shí)時(shí)或分時(shí)觀察SEM圖像

■ 分時(shí)掃描模式可在的位置停止加工
■ Cut & See模式可實(shí)現(xiàn)高分辨SEM觀察
■ 實(shí)時(shí)加工模式是加工時(shí)間優(yōu)先的FIB加工模式

采用Cut & See模式可實(shí)現(xiàn)三維重構(gòu)

FOV:20 μm
Cut & See:200張
Slice pitch:20 nm
SEM加速電壓:1.5 kV

固體氧化物燃料電池的燃料極(Ni-YSZ)
樣品提供:東京大學(xué) 生產(chǎn)技術(shù)研究所
鹿園直毅 教授

抑制FIB加工損傷的高質(zhì)量TEM樣品制備

采用低加速氬離子束以及高電流密度FIB,可實(shí)現(xiàn)快速加工、廣域加工以及多處自動(dòng)加工等

在2kV低加速電壓下進(jìn)行FIB加工時(shí),觀察Ga+離子照射造成的樣品損傷(紅色箭頭)(圖a)
然后,在1kV低加速電壓下進(jìn)行氬離子研磨,消除FIB加工產(chǎn)生的損傷層后,可以清晰觀察到晶格像。

Triple Beam System(氬氣/氙氣)

在制備極薄樣品時(shí),必須采用廣域且低損傷的加工方法。
Ethos采用樣品加工位置調(diào)整與低加速氬離子束精加工相結(jié)合的ACE技術(shù),可制備出高質(zhì)量的TEM薄膜樣品。

ACE: Anti Curtaining Effect

GUI設(shè)計(jì)進(jìn)一步提升了視覺(jué)美觀和響應(yīng)速度

4種信號(hào)可供選擇

■ In-Column探測(cè)器(SED×1、BSE×2)與樣品倉(cāng)SE探測(cè)器可同時(shí)采集信號(hào)
■ 搭載各SEM光學(xué)系統(tǒng)的Beam條件保存與讀取功能
■ 可根據(jù)不同觀察需求(形貌/成分),選擇的探測(cè)器
■ 每種探測(cè)器均可實(shí)現(xiàn)對(duì)比度、亮度等個(gè)性設(shè)置、保存與輸出

建立多樣化的加工模式與定序

登錄和輸出各種加工模式/觀察條件

■ 拖拽即可簡(jiǎn)單建立加工/觀察定序
■ 各加工模式與程序加工均可自由編輯與登錄
■ 可通過(guò)輸出當(dāng)前的程序加工,簡(jiǎn)單完成加工設(shè)置
■ 可通過(guò)讀取當(dāng)前的定序,大大簡(jiǎn)化重復(fù)操作
■ 可通過(guò)復(fù)制并編輯定序,進(jìn)一步提高擴(kuò)展性與靈活性

通過(guò)運(yùn)用各種加工模式,靈活設(shè)置加工范圍

■ 加工模式支持矩形、圓形、三角形、平行四邊形、傾斜加工、Bit-map加工等
■ 應(yīng)用加工支持橫截面加工以及TEM樣品制備
■ Vector Scan*3可根據(jù)向量信息顯示加工范圍,完成精準(zhǔn)定位。而且,圖像(bmp)轉(zhuǎn)換成向量后,也可繼續(xù)進(jìn)行樣品加工
■ 搭載各種離子束照射位置補(bǔ)償功能(漂移校正功能),可實(shí)現(xiàn)高精度加工

*3
選配

超大樣品倉(cāng)支持各種用途

■ 配置支持高分辨觀察的防振樣品臺(tái)
■ 設(shè)置多種接口,可加裝更多的選配附件,實(shí)現(xiàn)多種樣品加工、觀察以及分析

規(guī)格

規(guī)格
項(xiàng)目內(nèi)容
FIB 二次電子像分辨率(C.P) 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速電壓 0.5 kV – 30 kV
探針電流范圍 0.05 pA – 100 nA
離子源 GA液體金屬離子源
SEM 二次電子像分辨率(C.P) 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
加速電壓 0.1 kV – 30 kV
探針電流范圍 5 pA – 10 nA
電子槍 冷場(chǎng)場(chǎng)發(fā)射電子槍
標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器 In-Column二次電子探測(cè)器 SE(U)
In-Column背散射電子探測(cè)器 BSE(U)
In-Column背散射電子探測(cè)器 BSE(L)
Chamber二次電子探測(cè)器 SE(L)
驅(qū)動(dòng)范圍
(5軸反饋控制)
X 155 mm
Y 155 mm
Z 16.5 mm
R 0 - 360° 旋轉(zhuǎn)
T -10~59°
樣品尺寸 直徑 150 mm
選配 Ar/Xe離子束系統(tǒng)
Micro Sampling System
氣體注入系統(tǒng)(雙室或三室貯氣筒)
電動(dòng)搬運(yùn)式樣品交換倉(cāng)
連續(xù)自動(dòng)加工軟件
連續(xù)A-TEM2
各種樣品桿
EDS(能譜儀)
EBSD(電子背散射衍射)

 

關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類

  • 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM)
  • 透射電子顯微鏡 (TEM/STEM)



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