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公司名稱 上海屹持光電技術(shù)有限公司
品牌 其他品牌
型號(hào) B-M-1030
所在地 上海市
廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間 2023/8/10 15:27:50
訪問(wèn)次數(shù) 312

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡，選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導(dǎo)熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。

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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors

如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡，選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導(dǎo)熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。
我們提供未安裝的布拉格反射鏡，標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450um。

可用芯片尺寸：
• 4.0mmx 4.0mm
• 2.0mm×2.0mm
•1.3mm×1.3mm
可根據(jù)要求定制尺寸

1030nm 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GAAs Bragg mirrors

BM-1030nm-4x4	BM-1030nm-2x2	BM-1030nm-1.3x1.3
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡 •中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm •芯片面積：4 mm x 4 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf)	•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡 •中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm •芯片面積：2 mm x 2 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf)	•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡 •中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm •芯片面積：1.3 mm x 1.3 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf)

砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors

上海屹持光電技術(shù)有限公司

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