型號(hào)

IMC200

型號(hào)

PULSION

應(yīng)用

設(shè)備主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級(jí)注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能

優(yōu)勢(shì)

ü3D浸沒(méi)式離子注入，不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制

ü可靠性高，氣體消耗量低，易于維護(hù)，成本低；

ü的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù)，所需能量低，電流輸入輸出能力高，工藝穩(wěn)定性高，可以實(shí)現(xiàn)保形處理；

ü能夠以較小的占地面積處理大型部件；

ü工藝時(shí)間短：工藝時(shí)間與待注入的機(jī)械部件的大小無(wú)關(guān)，即使要求的注入量非常高；

ü可按照用戶(hù)要求定制；

ü有全自動(dòng)、工程和手動(dòng)模式，工程和手動(dòng)模式下可人為控制單步驟工藝；

ü工藝recipe可編輯，工藝參數(shù)可監(jiān)測(cè)、控制和記錄，可查看報(bào)警歷史。

注入晶圓尺寸

6英寸，兼容5、4、3、2英寸，不規(guī)則小片，最小可注入1 cm2的樣品。

原理

把要處理的部件放在真空室中的夾具上，并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當(dāng)夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負(fù)電壓時(shí)，開(kāi)始注入。

注入能量范圍

單價(jià)離子30KeV～200KeV，可升級(jí)二價(jià)/三價(jià)離子注入，注入能量可升級(jí)到400 KeV/600 KeV。

應(yīng)用

ü改善表面機(jī)械性能，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞；

ü提高表面耐腐蝕、耐化學(xué)、耐高溫性能；

ü改變表面理化性能如表面能、粘附性等；

ü提高生物相容性；

ü逸出功工程；

ü用于高級(jí)存儲(chǔ)器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)；

ü加氫（Hydrogenation），吸氣（gettering）。

注入角度

0°、7°，可通過(guò)手動(dòng)更換夾具的方式來(lái)改變注入角度。

加速電壓

1 kV ~ 10 kV

注入劑量范圍

1×10¹¹ at/cm² ～ 1×10¹⁸ at/cm²

標(biāo)準(zhǔn)注入電流

5 mA ~ 100 mA (N₂)

注入均勻性

ü4”片內(nèi)、片間1σ ≤ 1.0 % （注入條件：4英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×10¹⁴ at/cm2.）；

ü6”片內(nèi)、片間1σ ≤ 1.0 %（注入條件：6英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×10¹⁴ at/cm2）

標(biāo)準(zhǔn)注入時(shí)間

30 min ~ 3 h

真空度

ü離子源：≥ 2×10^-6 mbar（2 x10-4 Pa）；

ü束流管：≥ 7×10^-7 mbar（7x10-5 Pa）；

ü 靶室：≥ 7×10^-7 mbar（7x10-5Pa）；

ü離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵，高真空泵為渦輪分子泵；束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。

可注入選項(xiàng)

N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入束流

ü¹¹B單價(jià)離子：≥ 600µA；

ü ³¹P單價(jià)離子：≥ 1500µA；

ü⁷⁵As單價(jià)離子：≥ 1500µA。

（注入條件：6”晶圓，注入能量120KeV～200KeV）。

注入部件尺寸

≤ 400 mm×400 mm×200 mm

離子源氣路系統(tǒng)

包含5路氣體：BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統(tǒng)都集成在機(jī)器里面，能實(shí)時(shí)監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點(diǎn)探測(cè)技術(shù)。

輻射

在任意外部屏蔽點(diǎn)10 cm處< 0.6 μSv/h

軟件功能

包括但不限于：權(quán)限管理、參數(shù)管理、手動(dòng)控制、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)記錄、報(bào)警管理等。軟件可根據(jù)需求免費(fèi)更新升級(jí)。

注入劑量范圍

1E¹⁴ at/cm2 ~1E¹⁸ at/cm2

腔室氣壓

< 5×10^-6 mbar

設(shè)備尺寸

1.6×2.15×2.3m（標(biāo)準(zhǔn)型）；2.15×2.15×2.3m（加大型）

輻射

在任意外部屏蔽點(diǎn)10 cm處< 0.6 μSv/h

注入劑量范圍

1E¹⁴ at/cm2 ~1E¹⁸ at/cm2

離子輻射滿(mǎn)足國(guó)際相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，具有CE認(rèn)證。