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高性能FIB-SEM系統(tǒng) Ethos NX5000

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1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒HR模式下可實現(xiàn)高分辨觀察(半內(nèi)透鏡)FF模式下可實現(xiàn)高精度加工終點檢測(Timesharing Mode)2. 高通量加工可通過高電流密度FIB實現(xiàn)快速加工(束流100nA)用戶可根據(jù)自身需求設(shè)定加工步驟3. Micro Sampling System*3運用ACE技術(shù)(加工位置調(diào)整)抑制Curtaining效應(yīng)控制離子束的入射角度,制備厚度均勻的薄膜樣品4. 實現(xiàn)低損傷加工的Triple Beam ...

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概述
產(chǎn)品參數(shù)

1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒

  • HR模式下可實現(xiàn)高分辨觀察(半內(nèi)透鏡)

  • FF模式下可實現(xiàn)高精度加工終點檢測(Timesharing Mode)

2. 高通量加工

  • 可通過高電流密度FIB實現(xiàn)快速加工(束流100nA)

  • 用戶可根據(jù)自身需求設(shè)定加工步驟

3. Micro Sampling System*3

  • 運用ACE技術(shù)(加工位置調(diào)整)抑制Curtaining效應(yīng)

  • 控制離子束的入射角度,制備厚度均勻的薄膜樣品

4. 實現(xiàn)低損傷加工的Triple Beam System*3

  • 采用低加速(Ar/Xe)離子束,實現(xiàn)低損傷加工

  • 去除鎵污染

5. 樣品倉與樣品臺適用于各種樣品分析

  • 多接口樣品倉(大小接口)

  • 超大防振樣品臺(150 mm□)

  • *3

  • 選配


產(chǎn)品參數(shù)
項目內(nèi)容
FIB二次電子像分辨率(C.P)4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速電壓0.5 kV – 30 kV
探針電流范圍0.05 pA – 100 nA
離子源GA液體金屬離子源
SEM二次電子像分辨率(C.P)1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
加速電壓0.1 kV – 30 kV
探針電流范圍5 pA – 10 nA
電子槍冷場場發(fā)射電子槍
標(biāo)準(zhǔn)探測器In-Column二次電子探測器 SE(U)
In-Column背散射電子探測器 BSE(U)
In-Column背散射電子探測器 BSE(L)
Chamber二次電子探測器 SE(L)
驅(qū)動范圍
(5軸反饋控制)
X155 mm
Y155 mm
Z16.5 mm
R0 - 360° 旋轉(zhuǎn)
T-10~59°
樣品尺寸直徑 150 mm
選配Ar/Xe離子束系統(tǒng)
Micro Sampling System
氣體注入系統(tǒng)(雙室或三室貯氣筒)
電動搬運式樣品交換倉
連續(xù)自動加工軟件
連續(xù)A-TEM2
各種樣品桿
EDS(能譜儀)
EBSD(電子背散射衍射)



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