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法國IBS離子注入機

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 廣州納儀科技有限公司
  • 品牌
  • 型號
  • 所在地 廣州市
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時間 2024/9/27 13:45:16
  • 訪問次數(shù) 56

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法國IBS公司成立于1987年,一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設(shè)計制造與服務(wù),并不斷升級和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。創(chuàng)始人是來自法方的技術(shù)專家,在其帶領(lǐng)下,整個技術(shù)團隊對技術(shù)更新的熱忱與努力,嚴謹?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和的穩(wěn)定性。產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設(shè)計定制的能力。應(yīng)用:主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜,晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。

詳細信息 在線詢價

一、公司介紹

法國IBS公司(IBS INFORMATION)成立于1987年,一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設(shè)計制造與服務(wù),并不斷升級和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。

創(chuàng)始人是來自法方的技術(shù)專家,在其帶領(lǐng)下,整個技術(shù)團隊對技術(shù)更新的熱忱與努力,嚴謹?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和的穩(wěn)定性。產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設(shè)計定制的能力。

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、IMC 200離子注入機技術(shù)指標(biāo)

應(yīng)用:主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜,晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。

注入晶圓尺寸:6英寸,兼容2-5英寸、不規(guī)則小片,最小可注入1cm2的樣品。

注入能量范圍:20-200KeV;可升級到最小3KeV或二價/三價離子,注入能量400/600Kev;

注入角度:0°、7°,可通過手動更換夾具的方式改變注入角度0°-45°

注入劑量范圍:1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2

注入均勻性:片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層,11B,注入能量100KeV,注入劑量1xE14 at/cm2);

真空度:離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);

束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);

靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):

離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵,高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵,高真空泵為冷泵。

注入束流:11B單價離子:>600μA;

31P單價離子:>1500μA;

75As單價離子:>1500μA。

(注入條件:6英寸晶圓,注入能量120KeV-200KeV)。

氣路系統(tǒng):含5路氣體:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2,所有氣路系統(tǒng)都集成在機器里面能實時監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術(shù)。

軟件功能:包括但不限于:權(quán)限管理、參數(shù)管理、手動控制、實時數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)記錄、報警管理等。軟件可根據(jù)需求免費更新升級。

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三、PULSION離子注入機技術(shù)指標(biāo)

優(yōu)勢:3D浸沒式離子注入,不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制;可靠性高,氣體消耗量低,易于維護,成本低;的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù),所需能量低,電流輸入輸出能力高,工藝穩(wěn)定性高,可以實現(xiàn)保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時間短:工藝時間與待注入的機械部件的大小無關(guān),即使要求的注入量非常高;可按照用戶要求定制;有全自動、工程和手動模式,工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯,參數(shù)可監(jiān)測、控制和記錄,可查看報警歷史。

原理:把要處理的部件放在真空室中的夾具上,并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當(dāng)夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時,開始注入。

應(yīng)用:改善表面機械性能,減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕、耐化學(xué)、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;

提高生物相容性;逸出功工程;加氫,吸氣;

用于高級存儲器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)

加速電壓:1 kV-10kV

標(biāo)準(zhǔn)注入電流:5 mA-100 mA (N2)

標(biāo)準(zhǔn)注入時間:30 min -3 h

可注入選項:N,C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入部件尺寸:<400 mmx400 mmx200 mm

輻射:在任意外部屏蔽點10cm處,輻射值<0.6μSv/h1

注入劑量范圍:1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2

腔室idle氣壓:<5xE-6 mbar

設(shè)備尺寸:1.6x2.15x2.3m(標(biāo)準(zhǔn)型);2.15x2.15x2.3m(加大型)

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