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參考價(jià) | 面議 |
- 公司名稱 北京多晶電子科技有限公司
- 品牌
- 型號
- 所在地 北京市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時(shí)間 2025/2/11 10:00:03
- 訪問次數(shù) 1
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SUM70040M-GE3 n溝道場效應(yīng)管更新:2024-4-28 9:34:58點(diǎn)擊:產(chǎn)品品牌Vishay產(chǎn)品型號SUM70040M-GE3產(chǎn)品描述MOSFET N-Channel 100V (D-S) ThunderFET...PDF下載 詢價(jià) 申請樣品
描述
Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術(shù) TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項(xiàng),可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進(jìn)行擴(kuò)展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝,具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應(yīng)用包括電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開關(guān)、直流/直流電源逆變器和整流器、電動(dòng)工具及電池管理。
特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
結(jié)溫 175°C
非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗
經(jīng)Rg 和 UIS 測試
Qgd/Qgs 比 < 0.25
可通過邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行操作
規(guī)格
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT | |
封裝 / 箱體: | TO-263-7 | |
通道數(shù)量: | 1 Channel | |
晶體管極性: | N-Channel | |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 100 V | |
Id-連續(xù)漏極電流: | 120 A | |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 4.6 mOhms | |
Vgs - 柵極-源極電壓: | +/- 20 V | |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.5 V | |
Qg-柵極電荷: | 76 nC | |
工作溫度: | + 175 C | |
技術(shù): | Si | |
封裝: | Reel | |
配置: | 1 N-Channel | |
通道模式: | Enhancement | |
下降時(shí)間: | 15 ns | |
最小工作溫度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 375 W | |
上升時(shí)間: | 22 ns | |
晶體管類型: | N-Channel | |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 55 ns | |
典型接通延遲時(shí)間: | 15 ns | |
單位重量: | 1.600 g |
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