| 參考價 | 面議 |
RHEED-反射式高能電子衍射儀是觀察晶體生長重要的實時監(jiān)測工具之一。它可以通過非常小的掠射角將能量為10～30KeV的單能電子掠射到晶體表面，通過衍射斑點獲得薄膜厚度，組分以及晶體生長機制等重要信息。 因此反射高能電子衍射儀已成為MBE、PLD等系統(tǒng)中監(jiān)測薄膜表面形貌的一種標準化技術(shù)。
R-DEC公司生產(chǎn)的反射高能電子衍射儀，以便于操作者使用的人性化設(shè)計，穩(wěn)定性和耐久性以及擁有高亮度的衍射斑點等特點，得到日本本土及其他國家各研究機構(gòu)的*好評和認可。
RHEED-反射式高能電子衍射儀特點：
可遠程控制調(diào)節(jié)電壓，束流強度，聚焦位置以及光束偏轉(zhuǎn)
XY軸±5度電子束偏轉(zhuǎn)
高效熒光屏擁有高亮度衍射斑點
電子槍內(nèi)表面經(jīng)特殊處理，能實現(xiàn)極低放氣率
鎳鐵高導(dǎo)磁合金磁屏蔽罩(可選)
可搭載差動排氣系統(tǒng)用于低真空系統(tǒng)(可選)
負高壓電源安全閉鎖功能
經(jīng)久耐用，穩(wěn)定可靠
符合歐盟RoHS指令
kSA400分析軟件(可選)
RHEED-反射式高能電子衍射儀規(guī)格：
30KeV 電子槍
| 型號 | RDA-004G |
| 電子束徑 | φ90μm |
| 燈絲 | φ0.1mm 發(fā)夾式鎢燈絲 |
| 控制電極 | 定量偏壓 |
| 集束線圈 | 空心型電磁線圈 |
| 偏向線圈 | 環(huán)形電磁線圈 |
| 軸向校正 | 燈絲，控制電極 |
| 絕緣電壓 | DC30KV |
| 工作壓強范圍 | < 10-4Pa～10-9Pa |
| 大烘烤溫度 | 200℃ |
| 連接法蘭 | ICF70（外徑φ2.75英寸） |
| 外形尺寸 | φ100 x 401mm （可加長100mm） |
30KeV 電子槍電源
| 型號 | RDA-004P |
| 加速電壓 | 0～30KV 定電壓電源（紋波值≤0.03%） |
| 電子束電流 | 0～160μA |
| 燈絲電源 | 0～2V定電壓電源2Amax（紋波電壓≤0.05%） |
| 燈絲電流 | Max. 2A |
| 偏向線圈電源 | ±1A定電流電源±1V（紋波電壓≤0.05%） |
| 集束線圈電源 | ±0～1.5A定電流電源0～22V（紋波電壓≤0.05%） |
| 輸入電壓 | 200V, 220V, 230V, 240V |
| 外形尺寸 | 480mm x 199mm x 500mm（可加長100mm） |
| 安全功能 | 安全閉鎖裝置 |
反射高能電子衍射儀分析系統(tǒng)（kSA400 Leader in Analytical RHEED and LEED）
kSA400 分析軟件是較專業(yè)的RHEED分析系統(tǒng)，適合各種反射高能電子衍射儀和薄膜沉積系統(tǒng)，目前第四代系統(tǒng)結(jié)合優(yōu)質(zhì)的硬件和功能強大的軟件除了可以實時取得分析數(shù)據(jù)之外，還可實現(xiàn)實時晶格間距，原位應(yīng)力，實時薄膜沉積速率以及薄膜厚度的解析。為用戶提供較廣泛的RHEED分析信息。
RHEED應(yīng)用
RHEED可以廣泛應(yīng)用于MBE(分子束外延), PLD(脈沖激光沉積)等其它需要實時監(jiān)測材料生長狀態(tài)的設(shè)備中。它將帶有晶體表面信息的反射束呈現(xiàn)于接收熒光屏上，通過圖像采集和解析軟件，對收集到的信息進行分析，從而使用戶獲得薄膜厚度，組分以及晶體生長機制等重要信息。
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