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PHI 710俄歇電子能譜儀

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PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺(tái)設(shè)計(jì)*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀,PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。

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       PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺(tái)設(shè)計(jì)*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀,PHI 710俄歇電子能譜儀可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
 

  PHI710主要特點(diǎn)
 

  SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
 

  歇能譜的采集分析過(guò)程中,包括譜圖,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域,必然要求束斑直徑小且穩(wěn)定。PHI 710的SEM圖像的空間分辨率優(yōu)于3nm,AES的空間分辨率優(yōu)于8nm(@20kV,1nA)。
 

  關(guān)于鑄鐵韌性斷裂的界面分析,左邊是SEM圖像,中間是鈣、鎂、鈦的俄歇成像,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級(jí)尺度下的化學(xué)態(tài)的分析能力。
 

  同軸筒鏡分析器(CMA)
 

  PHI 公司電子槍和分析器同軸的幾何設(shè)計(jì),具有靈敏度高和視線無(wú)遮攔的特點(diǎn),滿足了現(xiàn)實(shí)復(fù)雜樣品對(duì)俄歇分析全面表征能力的需求。所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個(gè)方向收集而來(lái),成像沒(méi)有陰影。
 

  俄歇能譜儀的化學(xué)態(tài)成像:
 

  圖譜成像
 

  高能量分辨率俄歇成分像
 

  納米級(jí)的薄膜分析
 

  SEM圖像中,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設(shè)定了一個(gè)分析點(diǎn),分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%),電子束直徑20nm,離子槍采用0.5kV設(shè)定。在MultiPak軟件中,采取小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物,同樣區(qū)分金屬硅和硅化物??梢钥闯?,硅鎳化合物僅存在于界面處,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是,在鎳涂層的缺陷處,發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物。
 

  l PHI SmartSoft-AES用戶界面PHI SmartSoft是一個(gè)從用戶需求出發(fā)而設(shè)計(jì)的軟件。該軟件通過(guò)任務(wù)導(dǎo)向的方式指引用戶導(dǎo)入樣品,定義分析點(diǎn),并設(shè)置分析條件,可以讓新手快速,方便地測(cè)試樣品,并且用戶可以很方便的重復(fù)之前的測(cè)量。
 

  PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件:MultiPak軟件擁有全面的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫(kù)。采譜分析,線掃描分析,成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來(lái)處理。軟件強(qiáng)大的功能包括譜峰的定位,化學(xué)態(tài)信息及檢測(cè)限的提取,定量測(cè)試和圖像的增強(qiáng)等。
 

  l 選配件
 

  真空室內(nèi)原位樣品泊放臺(tái);
 

  原位脆斷;
 

  真空傳送管;
 

  預(yù)抽室導(dǎo)航相機(jī);
 

  電子能量色散探測(cè)器(EDS);
 

  電子背散射衍射探測(cè)器(EBSD);
 

  背散射電子探測(cè)器(BSE);
 

  聚焦離子束(FIB);
 

  l 應(yīng)用領(lǐng)域:
 

  •半導(dǎo)體器件:缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、界面擴(kuò)    散現(xiàn)象分析、封裝問(wèn)題分析、FIB器件分析等。
 

  •顯示器組件:缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò)    散現(xiàn)象分析等。
 

  •磁性存儲(chǔ)器件:表面多層、表面元素、界面擴(kuò)散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁    頭缺陷分析、殘余物分析等。


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