產(chǎn)品型號

GSL-450-PLD（Pulsed Laser Deposition）

安裝條件

本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水：設備配有自循環(huán)冷卻水機，水溫小于25℃，水壓0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注純凈水或者去離子水）；

2、電：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波動范圍：小于±6％，必須有良好接地（對地電阻小于2Ω）；

3、氣：設備腔室內需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備氮/氬氣氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥

4、場地面積：設備尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上

5、通風裝置：需要（外排廢氣管道）。

主要特點

1、由于激光光子能量很高，可濺射制備很多困難的鍍層：如高溫超導薄膜，陶瓷氧化物、氮化物薄膜，多層金屬薄膜等；

2、體積小，操作簡便可以非常容易的連續(xù)融化多個材料，實現(xiàn)多層膜制備；

3、可以通過控制激光能量和脈沖數(shù)，精密的控制膜厚；

4、易獲得期望化學計量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性；

5、沉積速率高，試驗周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻；

6、工藝參數(shù)任意調節(jié)，對靶材的種類沒有限制。

技術參數(shù)

1、極限真空度：≤6.67x10^-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)；

2、系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10^-7 Pa.l/S；

3、系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，20分鐘可達到5x10^-3 Pa。

基片參數(shù)

1、基片尺寸：可放置φ2″基片（帶擋板）；

2、基片加熱溫度 800℃±1℃，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，采用抗氧化材料作加熱器；

3、基片可連續(xù)回轉，轉速5～60轉/分，電機驅動磁耦合機構控制；

4、基片與靶臺之間距離30～90mm可調。

轉靶參數(shù)

1、每次可以裝四塊靶材，靶材尺寸：φ1″或φ2″；
2、每塊靶材可實現(xiàn)自轉，轉速5～60轉/分，連續(xù)可調 ；
3、靶通過電機控制換位，靶材屏蔽罩將4塊靶材屏蔽，每次只有一個靶材露出濺射成膜，以避免靶材之間的交叉污染。

真空腔體

1、球型真空室尺寸Ф450mm，選用優(yōu)質不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封；

2、真空腔體帶RF150活開門，方便取、放樣品；

3、RF100法蘭2套（1套紫外石英玻璃窗口用于激光器，另1套盲板紅外石英玻璃窗口用于測溫可選配）；

4、RF100光學玻璃窗口1套（用于觀察）。

產(chǎn)品規(guī)格

整機尺寸：1800mm×1000mm×1600mm

標準配件

1

電源控制系統(tǒng)

1套

2

真空獲得機組

1套

3

真空測量

1套