磁聚焦變像管是激光聚變時(shí)空分辨系統(tǒng)的子系統(tǒng)，主要用于做光電子成像實(shí)驗(yàn)。本產(chǎn)品采用4個(gè)線圈產(chǎn)生聚焦成像的磁場(chǎng)。陰極面為較大大口徑的線圈，成像面為小口徑的線圈，其間為兩個(gè)變徑聚焦線圈。這款光電子成像系統(tǒng)的圖像縮比為3:1。初始電子動(dòng)能具有較寬的能量范圍（1.5Kev---3kev），經(jīng)500mm漂移區(qū)后仍保持較好的空間分辨，因而需要用較強(qiáng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)約束光電子。物象比與（BObject/BImage）-1/2成正比。
環(huán)境模擬
磁場(chǎng)模擬
四線圈方案：
線圈參數(shù)：
| 線圈匝數(shù) | 線圈長(zhǎng)度 | 線圈直徑 | 工作電流 |
陰極面線圈
| 5x25匝 | 100mm | 120mm | 0-25A |
| 聚焦線圈1 | 9X35匝 | 140mm | 90mm至78mm | 0-40A |
| 聚焦線圈2 | 21X35匝 | 140mm | 72mm至 60mm | 0-50A |
成像面線圈
| 22X 30匝
| 100mm
| 60mm
| 0-55A |
電子軌跡追蹤（一）
模擬初始條件：
電子初始動(dòng)能1.5Kev—3KeV，入射角度+/-2度。每束電子束由等角度5個(gè)電子組成，電子束出發(fā)點(diǎn)位于光陰極面線圈軸向中心，徑向相對(duì)于軸線坐標(biāo)分別為10mm，20mm，30mm。物像距約為520mm。像縮比約2.9：1。
電子軌跡追蹤（二）
光電子發(fā)散角的高斯分布，在條件下，成像面上的電子成像分辨率可以達(dá)到6lp mm
設(shè)計(jì)方案
驅(qū)動(dòng)電源
脈沖恒流源電源工作方式：
·電源的上升沿約100ms，恒流工作持續(xù)時(shí)間0-60S，下降沿時(shí)間1-2秒（根據(jù)線圈電容量而定）
·多電源外部同步觸發(fā)
·附加功能：線圈過(guò)溫保護(hù)
后部電子成像方案
機(jī)械與真空設(shè)計(jì)
測(cè)試方案
1.線圈品質(zhì)測(cè)試：
·單個(gè)線圈，電流和磁場(chǎng)強(qiáng)度線性度測(cè)試
·單個(gè)線圈軸向磁場(chǎng)測(cè)量
·線圈組合磁場(chǎng)軸向測(cè)量
2.組合成像測(cè)試：
· 快門曝光時(shí)間20S-1min；線圈電流工作間隔1-10min
· 若圖像強(qiáng)度不夠，則采用CCD 累加成像
· 根據(jù)圖像結(jié)果，微調(diào)線圈磁場(chǎng)
實(shí)驗(yàn)測(cè)試
實(shí)驗(yàn)裝置
分化板測(cè)試
分化板前置：
為看到分化板的像，只有柵網(wǎng)條紋
前置分化板：
分化板放置在柵網(wǎng)上
光陰極測(cè)試
光陰極磁場(chǎng)成像
測(cè)試條件：
· 真空： 5X10-6mBar
· 磁場(chǎng)： lens1: 29A ; lens2:34.5A; lens3:47.5A; lens4:51.5A;
· 采用 Nikon D750觀測(cè)；成像像素2493萬(wàn)（6016X4016）
測(cè)試結(jié)果
分辨率：2pl 清晰 可辨；4pl,5pl 無(wú)法分辨。
縮放比： 分化板寬 4mm;成像約為1.38mm，縮放比約為3：1。
2pl
4pl
5pl
縮放比調(diào)整
Lens3: 47A lens4: 51.5A：
Lens3: 57A lens4:60A：
Lens3: 39 A lens4: 45A：
